扩散硅压力变送器

     硅单晶材料在受到外力作用产生极微小应变时(一般步于400微应变)，其内部原子结构的电子能级状态会发生变化，从而导致其电阻率剧烈变化(G因子突变)。用此材料制成的电阻也就出现极大变化，这种物理效应称为压阻效应。利用压阻效应原理，采用集成工艺技术经过掺杂、扩散，沿单晶硅片上的特点晶向，制成应变电阻，构成惠斯凳电桥，利用硅材料的弹性力学特性，在同一切硅材料上进行各向异性微加工，就制成了一个集力敏与力电转换检测于一体的扩散硅传感器。给传感器匹配一放大电路及相关部件，使之输出一个标准信号，就组成了一台完整的扩散硅压力变送器。